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IRFB3607PBF

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述：

采用TO-220封装的75V单N沟道StrongIRFET?功率MOSFET

英文描述：

MOSFET N-Channel 75V 80A HEXFET TO220AB Infineon IRFB3607PBF N-channel MOSFET Transistor,80 A,75 V,3-Pin TO-220AB

数据手册：

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IRFB3607PBF概述

StrongIRFET?功率MOSFET系列针对低RDS(on)和高电流能力进行了优化。这些器件是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的产品组合可满足广泛的应用，包括直流电动机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。

特点概述

工业标准通孔电源封装

高额定电流

符合JEDEC标准的产品认证

为开关频率低于<100 kHz的应用优化的硅

与前一代硅相比，体二极管更软

提供广泛的产品组合

优点

标准引脚布局，可直接替换

高电流承载能力的封装

工业标准认证水平

在低频应用中具有高性能

提高了功率密度

为设计者提供灵活性，为其应用选择最理想的器件

潜在的应用

电池供电的应用

电动工具

直流电动机驱动

轻型电动车(LEV)

SMPS

IRFB3607PBF中文参数

制造商:	Infineon	Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
产品种类:	MOSFET	Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
技术:	Si	Qg-栅极电荷:	84 nC
安装风格:	Through Hole	最小工作温度:	- 55 C
封装 / 箱体:	TO-220-3	最大工作温度:	+ 175 C
晶体管极性:	N-Channel	Pd-功率耗散:	140 W
通道数量:	1 Channel	通道模式:	Enhancement
Vds-漏源极击穿电压:	75 V	配置:	Single
Id-连续漏极电流:	80 A	晶体管类型:	1 N-Channel
Rds On-漏源导通电阻:	7.34 mOhms